功率器件
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溝槽柵金屬氧化物半導體場效應管(Trench MOSFETs)
上海貝嶺公司的Trench MOSFET器件提供低導通、快速、ESD保護、Rg集成等全系列完整產品線。通過優化的結構設計、先進的制造工藝和可靠的封裝，實現了功率密度最大化以及優秀的FOM（品質因子（Qg*Rdson））值，保證了行業內的領先水平。
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平面柵金屬氧化物半導體場效應管(Planar MOSFETs)
上海貝嶺公司的高壓MOSFET產品基于華大自有制造平臺積塔（先進），具有強短路、耐沖擊的特點，還可以提供低導通Ron，集成ESD結構防靜電等產品，以滿足客戶的各種需求。
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超結金屬氧化物半導體場效應管(SJ MOSFETs)
上海貝嶺公司的SJ MOSFET器件提供低導通、快速、ESD保護、Rg集成等全系列完整產品線。通過優化的結構設計、先進的制造工藝和可靠的封裝，實現了功率密度最大化以及優秀的FOM（品質因子（Qg*Rdson））值，Multi-epi技術賦予器件優良的魯棒特性，使器件的使用及電路的設計難度大大降低。
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屏蔽柵金屬氧化物半導體場效應管(SGT MOSFETs)
上海貝嶺公司的SGT MOSFET器件提供低導通、快速、ESD保護、Rg集成等全系列完整產品線。通過優化的結構設計、先進的制造工藝和可靠的封裝，實現了功率密度最大化以及優秀的FOM（品質因子（Qg*Rdson））值，使應用領域范圍大大提高。
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絕緣柵雙極晶體管（IGBTs）
上海貝嶺公司的IGBT產品，涵蓋了平面高魯棒特性系列， 基于溝槽場截止型（Trench Field Stop）技術的高效系列，結合了超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）以及局部壽命控制等技術，顯著改善了動靜態性能折中，大幅提高了器件的功率密度，使器件可耐工作溫度更高，轉換效率更大，使用壽命更長。
